Робота транзистора NPN

Перехід емітер-база транзистора має прямий зсув, тоді як перехід колектор-база-зворотний. Якщо на мить ігнорувати наявність переходу емітер-база, то практично (Примітка 1) струм не надходитиме в ланцюг колектора через зворотне зміщення. Однак, якщо перехід емітер-база також присутній, то зміщення вперед на ньому викликає протікання струму емітера. Видно, що цей струм випромінювача майже повністю протікає в ланцюзі колектора. Тому струм у колекторній схемі залежить від струму емітера. Якщо струм випромінювача дорівнює нулю, то струм колектора майже дорівнює нулю. Однак, якщо струм емітера становить 1 мА, то струм колектора також становить близько 1 мА. Це саме те, що відбувається в транзисторі. Тепер ми обговоримо цю дію транзистора для транзисторів npn & pnp. Робота транзистора npn Нижче на малюнку показано транзистор npn з прямим зсувом на перехід емітер-база та зворотним зсувом на перехід колектор-база. Зсув вперед змушує електрони в емітері n-типу текти до основи. Це становить струм емітера IE. Оскільки ці електрони протікають через основу р-типу, вони мають тенденцію поєднуватися з дірками. Оскільки основа злегка легована і дуже тонка, тому лише кілька електронів (менше 5%) поєднуються з отворами, утворюючи основу (примітка 2) струму IB. Решта ((Примітка 3) більше 95%) переходять у область колектора, щоб скласти IC струму колектора. Таким чином, майже весь струм емітера протікає в ланцюзі колектора. Зрозуміло, що струм емітера - це сума струмів колектора та основи, тобто IE = IB + IC Примітка: На практиці в контурі колектора буде протікати дуже малий струм (кілька мкА). Це називається струмом відключення колектора і це пов'язано з носіями меншин. Електрони, які поєднуються з дірками, стають валентними. Потім, як валентні електрони, вони стікають крізь отвори і потрапляють у зовнішній основний провід. Це становить базовий поточний IB. Причини того, що більшість електронів з випромінювача продовжують свій шлях через основу до колектора, щоб утворити колекторний струм, такі: (i) Основа злегка легована і дуже тонка. Тому є кілька дірок, які знаходять достатньо часу для поєднання з електронами. (ii) Зворотний зсув на колекторі досить високий і чинить привабливі сили на ці електрони. Робота транзистора PNP Нижче на малюнку показано основне підключення транзистора pnp. Зсув вперед призводить до того, що отвори в випромінювачі р-типу течуть до основи. Це становить струм емітера IE. Коли ці дірки переходять у основу n-типу, вони мають тенденцію поєднуватися з електронами. Оскільки основа злегка легована і дуже тонка, отже, лише кілька дірок (менше 5%) поєднуються з електронами. Залишок (більше 95%) переходить у область колектора, щоб скласти IC струму колектора. Таким чином, майже весь струм емітера протікає в ланцюзі колектора. Можна відзначити, що провідність струму в транзисторі pnp відбувається через дірки. Однак у зовнішніх сполучних проводах струм все ще йде від електронів. Важливість дії транзистора Вхідна схема (тобто емітер-база перехід) має низький опір через зміщення вперед, тоді як вихідна схема (тобто перехід колектор-основа) має високий опір через зворотне зміщення. Як ми бачили, струм вхідного випромінювача майже повністю протікає в ланцюзі колектора. Тому транзистор передає струм вхідного сигналу від схеми низького опору до ланцюга високого опору. Це ключовий фактор, що відповідає за посилюючу здатність транзистора.

Залишити повідомлення 

список повідомлень