FMUSER Оригінальний новий D1029UK RF транзистор живлення MOSFET транзистор Подвійний N-канальний MOSFET, 35 A, 70 В, 5-контактний транзистор DR D1029UK-RF-FMUSER FM / TV Трансляція універсальний постачальник

FMUSER Оригінальний новий D1029UK РЧ силовий транзистор Потужність MOSFET транзистор Подвійний N-канальний MOSFET, 35 A, 70 В, 5-контактний DR D1029UK Характеристики Спрощений дизайн підсилювача, придатний для широкого діапазону додатків НИЗЬКИЙ Crss ПРОСТІ БІАС КОНЦУРТИ НИЗКИЙ ШУМ ДИЗАЙН НИЗКИЙ ШУМ Атрибут / значення Тип каналу: N Максимальний постійний струм стоку: 13 A Максимальна напруга джерела стоку: 35 В Тип упаковки: Тип кріплення DR: Кількість контактів кріплення на панелі: Режим 70 каналів: Підсилення Максимальна порогова напруга затвора: 5 В Конфігурація транзистора: Максимальна напруга вихідного джерела загального джерела: -7 В, +438 В Кількість елементів на мікросхемі: 20 Максимальна робоча температура: +20 ° С

деталь

Попередній:FMUSER Original MRF1K50H RF Power MOSFET LDMOS Транзистор 1500 Вт CW при 50 В на частоті 1.8-500 МГц

далі:FMUSER Оригінальний новий MRF6VP11KH РЧ силовий транзистор Потужний транзистор MOSFET

Ціна (USD)	Кількість (PCS)	Доставка (USD)	Разом (USD)	метод доставки	Оплата
149	1	0	149	DHL
				DHL

риси
Спрощений дизайн підсилювача
ПІДХОДИТЬ ДЛЯ ЗАСТОСУВАННЯ ШИРОКОГО СТИПУ
НИЗКИЙ Crss
ПРОСТІ СХЕМИ ДІАПАЗОНУ
НИЗЬКИЙ ШУМ
ВИСОКИЙ ВИБІТ - 13 дБ МІНІМУМ

Специфікації

Атрибут / значення
Тип каналу: N
Максимальний безперервний струм стоку: 35 А
Максимальна напруга джерела стоку: 70 В
Тип упаковки: DR
Тип кріплення: кріплення на панелі
Кількість штифтів: 5
Режим каналу: удосконалення
Максимальна порогова напруга на затворі: 7 В
Максимальна витрата потужності: 438 Вт
Конфігурація транзистора: загальне джерело
Максимальна напруга джерела затвора: -20 В, +20 В
Кількість елементів на мікросхему: 2
Максимальна робоча температура: +200 ° C
Матеріал транзистора: Si
Висота: 5.08мм
Ширина: 10.16mm
Серія: TetraFET
Довжина: 34.03mm