FMUSER Оригінальний новий SD2931-11 РФ силовий транзистор Підсилення високої потужності 20V MOSFET Транзистор-РФ транзистор-FMUSER FM / TV Постачальник єдиного доступу

Оригінальний новий FMUSER-силовий транзистор RF2931-11 із високим коефіцієнтом посилення 20 В MOSFET-транзистор Опис: SD2931-11 - це золото, металізований польовий ВЧ-транзистор з польовим ефектом MOS. Будучи електрично ідентичним стандартному МОП-транзистору SD2931, він призначений для використання у великих додатках сигналів 50 В постійного струму до 230 МГц. SD2931-11 механічно сумісний з SD2931, але крім цього пропонує кращу теплову здатність (на 25% нижчий тепловий опір), представляючи найкращі в своєму класі транзистори для застосувань ISM, де надійність та міцність є критичними факторами. Особливості: * Металізація золота * Відмінна термостійкість * Загальне джерело

деталь

Попередній:FMUSER Оригінальний новий транзистор високої потужності BLF177 РФ Транзистор 50V MOSFET

далі:FMUSER Оригінальний новий MRFE6VP5600H РФ силовий транзистор MOSFET транзистор на 600 Вт FM передавач

Ціна (USD)	Кількість (PCS)	Доставка (USD)	Разом (USD)	метод доставки	Оплата
108	1	35	143	DHL
				DHL

FMUSER Оригінальний новий SD2931-11 РФ транзистор з підвищеною потужністю посилення 20V MOSFET транзистор

Опис:
SD2931-11 - золотий металізований N-канал MOS польовий транзистор з польовим ефектом. Буття електрично ідентичний стандартному SD2931 MOSFET, він призначений для використання у великих розмірах 50 V dc додатки для сигналу до 230 МГц. SD2931-11 механічно сумісний з SD2931, але пропонує додатково кращі теплові здатність (25% нижчий термостійкість), що представляє найкращі в своєму класі транзистори для ISM програми, де надійність та міцність критичні фактори.

Особливості гри:
* Металізація золота
* Відмінна термічна стабільність
* Загальна конфігурація джерела
* POUT = 150 W хв. з посиленням 14 дБ @ 175MHz
* Термічно покращена упаковка для нижчих
* температури стику
* Сортування GFS та VGS позначено на одиниці

Спеціалізація:

* Серія: SD2931
* Категорія продукту: RF MOSFET транзистори
* Полярність транзистора: N-канал
* Технологія: Si
* Id - постійний струм зливу: 20 A
* Vds - напруга розриву стоку-джерела: 125 V
* Посилення: 15 дБ
* Вихідна потужність: 150 W
* Мінімальна робоча температура: - 65 C
* Максимальна робоча температура: + 200 C
* Стиль монтажу: гвинтове кріплення
* Упаковка: Насипна
* Конфігурація: Один подвійний джерело
* Висота: 7.11 мм (макс.)
* Довжина: 24.89 мм (макс.)
* Робоча частота: 230 МГц
* Ширина: 12.83 мм (макс.)
* Режим каналу: покращення
* Pd - Розсіювання потужності: 389 W
* Vgs - Напруга на джерело воріт: 20 V