FMUSER Оригінальний новий MRFE6VP5600H РФ силовий транзистор MOSFET транзистор для 600 Вт FM-передавач-транзистор-РФ-транзистор FMUSER FM / TV широкомовного постачальника

Оригінальний новий FMUSER-транзистор із силовим транзистором MRFE6VP5600H Потужність MOSFET-транзистора для 600 Вт FM-передавача Огляд: Ці пристрої з високою надійністю, MRFE6VP5600HR6 та MRFE6VP5600HSR6, призначені для використання в промислових (з лазерними та плазмовими збудниками) високих коефіцієнтах питомого струму, в ефірних (аналогових та цифрових), аерокосмічних та космічних радіо / наземні мобільні додатки. Вони не мають собі рівних вхідних та вихідних конструкцій, що дозволяють використовувати широкий діапазон частот від 1.8 до 600 МГц. Особливості: * Неперевершені вхідні та вихідні дані, що дозволяють використовувати широкий діапазон частот. * Пристрій можна використовувати як односторонній, так і в конфігурації push-pull. * Кваліфіковано До максимум 50 VDD роботи. * Характер

деталь

Попередній:FMUSER Оригінальний новий SD2931-11 РФ транзистор з підвищеною потужністю посилення 20V MOSFET транзистор

далі:FMUSER Оригінальний новий SD2942 N-канальний 350W вихідний транзистор потужності РФ MOSFET транзистори РФ транзистор

Ціна (USD)	Кількість (PCS)	Доставка (USD)	Разом (USD)	метод доставки	Оплата
265	1	35	300	DHL
				DHL

FMUSER Оригінальний новий MRFE6VP5600H РФ силовий транзистор MOSFET транзистор на 600 Вт FM передавач

огляд:

Ці пристрої високої стійкості, MRFE6VP5600HR6 та MRFE6VP5600HSR6, розроблені для використання у високих промислових VSWR промислових (включаючи лазерні та плазмові збудники), широкомовні (аналогові та цифрові), аерокосмічні та радіо / наземні мобільні програми. Вони є неперевершеними вхідними та вихідними конструкціями, що дозволяють використовувати широкий діапазон частот, між 1.8 і 600 МГц.

Особливості гри:
* Незрівнянне введення та вихід, що дозволяє використовувати широкий діапазон частот.
* Пристрій можна використовувати Односторонній або в конфігурації Push-Pull.
* Кваліфікований до Максимум 50 VDD.
* Характеризується від 30 В до 50 В для розширеного діапазону потужності.
* Підходить для лінійного застосування з відповідним зміщенням.
* Інтегрований захист від ОУР із більшим діапазоном негативного джерела напруги на затворі для поліпшення роботи класу C.
* Характеризується серійними еквівалентними параметрами великого опору великого сигналу.
* Сумісний з RoHS.
* У стрічці і котушці. R6 Суфікс = 150 одиниць, 56 мм ширина стрічки, 13 дюймовий барабан.
* Ці продукти включені в програму довголіття нашого продукту з гарантованим постачанням протягом мінімум 15 років після запуску.

Основні параметри:

Частота (Min) (МГц)	1.8
Частота (макс.) (МГц)	600
Напруга живлення (тип) (В)	50
P1dB (тип) (дБм)	57.8
P1dB (тип) (Вт)	600
Вихідна потужність (тип) (Вт) @ рівень інтермодуляції на тестовому сигналі	600.0 @ CW
Тестовий сигнал	1-ТОНА
Підвищення потужності (тип) (дБ) @ f (МГц)	24.6 @ 230
ККД (тип) (%)	75.2
Тепловий опір (Spec) (℃ / Вт)	0.12
Клас	AB
Узгодження	неперевершений
Технологія штампування	LDMOS

Таблиця ефективності РФ:
Вузький діапазон 230 МГц
Типова продуктивність: VDD = 50 Вольт, IDQ = 100 мА

Тип сигналу	Pout (W)	f (МГц)	Гіпс (дБ)	ηD (%)	IRL (дБ)
Пульс (100 мкс, 20% робочий цикл)	600 пік	230	25.0	74.6	-18
CW	600 сер	230	24.6	75.2	-17

Пакет включає в себе:

1*MRFE6VP5600H РФ силовий транзистор

Ціна (USD)	Кількість (PCS)	Доставка (USD)	Разом (USD)	метод доставки	Оплата
265	1	35	300	DHL
				DHL

Попередній:FMUSER Оригінальний новий SD2931-11 РФ транзистор з підвищеною потужністю посилення 20V MOSFET транзистор

Залишити повідомлення

список повідомлень

Коментарі Завантаження ...