FMUSER Оригінальний MRF173CQ 28 В 50 мА 150 МГц 80 Вт РЧ-силовий транзистор Потужність MOSFET-транзистор N-канально-радіочастотний транзистор-FMUSER FM / телевізійне мовлення Одноразовий постачальник

FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF Power Transistor Power MOSFET транзистор N-канальний Особливості: ● Номер деталі MRF173CQ ● Опис FET RF 65V 150MHZ 316-01 ● Детальний опис RF Mosfet N-Channel 28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01, Style 2 ● Таблиці даних MRF173CQ ● Сертифікат екологічної інформації RoHS ● Специфікація HTML MRF173CQ Опис: ● Упаковка: Лоток ● Статус деталі: Активний ● Тип транзистора: N-канальний ● Частота: 150 МГц ● Коефіцієнт посилення: 13 дБ ● Напруга - Тест: 28 В ● Потужність (ампер) : 9А ● Показник шуму: 1.5 дБ ● Струм - Тест: 50 мА ● Потужність - Потужність: 80 Вт ● Вольта

деталь

Попередній:FMUSER Original BLF888A 600W 50V UHF Power LDMOS RF Транзистор живлення

далі:FMUSER Original SRF3999 28V 50mA 150MHz 80W RF RF Transistor

Ціна (USD)	Кількість (PCS)	Доставка (USD)	Разом (USD)	метод доставки	Оплата
79	1	0	79	перевезення вантажу повітряної пошти
				перевезення вантажу повітряної пошти

FMUSER Оригінальний MRF173CQ 28 В 50 мА 150 МГц 80 Вт РЧ силовий транзистор Потужність MOSFET транзистор N-канал

Особливості гри:

● Номер деталі MRF173CQ

● Опис FET RF 65V 150MHZ 316-01
● Детальний опис НЧ-канал RF Mosfet 28 В 50 мА 150 МГц 13 дБ 80 Вт 316-01, стиль 2
● Технічні таблиці MRF173CQ

● Екологічна інформація Сертифікат RoHS

● Таблиця HTML MRF173CQ

Опис:
● Пакування : Лоток
● Статус частини: Active
● Тип транзистора: N-канал
● частота: 150MHz
● посилення: 13dB
● Напруга - Тест: 28V
● Поточний рейтинг (ампер): 9А
● Показник шуму: 1.5 дБ
● Поточний - Тест: 50mA
● Потужність - Вихід: 80W
● Напруга - номінальна: 65V

Область застосування:

Призначений для широкосмугового комерційного та військового застосування з діапазоном частот до 200 МГц. Потужність, високий коефіцієнт підсилення та широкосмуговий діапазон цього пристрою робить можливим твердотільні передавачі для діапазонів частот FM-телебачення або телевізійних каналів, режим вдосконалення N-каналу MOSFET

Параметри:
Режим вдосконалення N-каналу MOSFET
● Гарантована продуктивність при 150 МГц, 28 В:
Вихідна потужність = 80 Вт
Коефіцієнт посилення = 11 дБ (тип 13 дБ)
Ефективність = 55% Мін. (60% тип.)
● Низький тепловий опір
● Випробування на міцність при номінальній вихідній потужності
● Пасивована нітридом матриця для покращення
● надійна надійність
● Низький рівень шуму - 1.5 дБ. при 2.0 А, 150 МГц

● Відмінна термостійкість; підходить для роботи класу А.

Ціна (USD)	Кількість (PCS)	Доставка (USD)	Разом (USD)	метод доставки	Оплата
79	1	0	79	перевезення вантажу повітряної пошти
				перевезення вантажу повітряної пошти

Попередній:FMUSER Original BLF888A 600W 50V UHF Power LDMOS RF Транзистор живлення

далі:FMUSER Original SRF3999 28V 50mA 150MHz 80W RF RF Transistor

Залишити повідомлення

список повідомлень

Коментарі Завантаження ...