FUMSER Оригінальний MRF154 радіочастотний оксид металу напівпровідниковий польовий транзистор-транзистор-радіочастота-FMUSER FM / телевізійне мовлення універсальний постачальник

Оригінальний радіочастотний напівпровідниковий транзистор з напівпровідниковим оксидом металу MRF154 Опис: - Категорія продукту: Транзистор з польовим ефектом напівпровідникового оксиду металу (RF MOSFET) - Полярність транзистора: N-канал - Технологія: Si - Стік постійного струму: 60 A - Vds-напруга пробою джерела стоку: 125 V - посилення: 17 дБ - вихідна потужність: 600 Вт - мінімальна робоча температура: -65 C - максимальна робоча температура: + 150 C - упаковка / коробка : 368-3 - Конфігурація: Одинарна - Робоча частота: 80 МГц - Тип: РЧ-потужність MOSFET - Торгова марка: MACOM - Розсіювання потужності PD: 1.35 кВт - Тип продукту: Транзистори RF-МОП-транзистора - Кількість фабричної упаковки : 1 - Підкатегорія: МОП-транзистори - напруга Vgs-затвор-джерело: 40 В - Vgs th- gat

деталь

Попередній:FMUSER Original SRF3999 28V 50mA 150MHz 80W RF RF Transistor

далі:FMUSER 1шт.Оригінальний новий MRF6VP3450H бічний N-канальний широкосмуговий РЧ-потужний транзистор MOSFET

Ціна (USD)	Кількість (PCS)	Доставка (USD)	Разом (USD)	метод доставки	Оплата
159	1	0	159	DHL
				DHL

FUMSER Оригінальний MRF154 радіочастотний оксид металу напівпровідниковий польовий транзистор

Опис:

- Категорія продукту: Транзистор з польовим ефектом напівпровідникового оксиду металу (RF MOSFET)
- Полярність транзистора: N-канал
--Технологія: Si
- Ід-безперервний струм стоку: 60 А
- Vds-напруга пробою джерела стоку: 125 В
- посилення: 17 дБ
- Вихідна потужність: 600 Вт
- Мінімальна робоча температура: -65 С
- Максимальна робоча температура: + 150 C
- Пакет / коробка: 368-3
- Конфігурація: одинарна
- Робоча частота: 80 МГц
--Тип: MOSFET RF потужності
- Торгова марка: MACOM
- Розсіювання потужності PD: 1.35 кВт
- Тип продукту: Транзистори RF MOSFET
- Кількість фабричної упаковки: 1
- Підкатегорія: МОП-транзистори
- напруга Vgs-затвор-джерело: 40 В
--Vgs th - порогова напруга джерела затвора: 3 В
- Вага одиниці: 122.795 г.

Особливості гри:
--N – режим покращення каналу MOSFET
- Зазначені 50 вольт, 30 МГц Характеристики - Вихідна потужність = 600 Вт, Приріст потужності = 17 дБ (тип), ККД = 45% (тип)
- Мінімальна частота: 2 МГц
- Максимальна частота: 100 МГц
- Вихід: 600 Вт
- посилення: 17 дБ
- Ефективність: 45%

Область застосування:
--Космонавтика та оборона
--ІЗМ

Пакет включає:

1 * транзистор MRF154